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FDMD8900

制造商零件号
FDMD8900
制造商
Fairchild Semiconductor
包装/案例
-
数据表
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描述
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
库存
15710
制造商 :
Fairchild Semiconductor
产品分类 :
晶体管 - FET、MOSFET - 阵列
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
19A, 17A
Drain to Source Voltage (Vdss) :
30V
FET Feature :
Standard
FET Type :
2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
35nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
2605pF @ 15V
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case :
12-PowerWDFN
Power - Max :
2.1W
Product Status :
Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4mOhm @ 19A, 10V
Supplier Device Package :
12-Power3.3x5
Vgs(th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
数据列表
FDMD8900