Hynix 海力士芯片生产商，源于韩国品牌英文缩写"HY"海力士为原来的现代内存，2001年更名为海力士。Hynix 海力士芯片生产商 源于韩国品牌英文缩写"HY"海力士为原来的现代内存,2001年更名为海力士.代表理事:权吾哲(권오철)。海力士半导体在1983年以现代电子产业株式会社成立，在1996年正式在韩国上市，1999年收购LG半导体，2001年将公司名称改为(株)海力士半导体,从现代集团分离出来。2004年10月将系统IC业务出售给花旗集团，成为专业的存储器制造商。海力士半导体是世界第二大DRAM制造商，也在整个半导体公司中占第九位。目前在韩国有4条8英寸晶圆生产线和一条12英寸生产线，在美国俄勒冈州有一条8英寸生产线。2004年及2005年全球DRAM市场占有率处于第二位，中国市场占有率处于第一位. 目前在世界各地有销售法人和办事处，共有员工21000人(含海外员工).海力士(Hynix)半导体作为无形的基础设施，通过半导体，竭尽全力为客户创造舒适的生活环境。目前，海力士半导体致力生产以DRAM和NAND Flash为主的半导体产品。海力士半导体以超卓的技术和持续不断的研究投资为基础，每年都在开辟已步入纳米级超微细技术领域的半导体技术的崭新领域。另外，海力士半导体不仅标榜行业最高水平的投资效率，2006年更创下半导体行业世界第七位，步入纯利润2万亿韩元的集团等，正在展现意义非凡的增长势力。海力士半导体不仅作为给国家经济注入新鲜血液的发展动力，完成其使命，同时不断追求与社会共同发展的相生经营。海力士半导体为发展成为令顾客和股东满意的先导企业，将尽心尽责，全力以赴。1983年02月创立现代电子株式会社，1995年10 在世界上首次开发256M的SDRAM，并在美国俄勒冈州设立半导体工厂。2001年开发世界上速度最快的128MB DDR SDRAM，完成与现代集团的最终分离，剥离CDMA移动通信设备制造业务'Hyundai Syscomm'，剥离通信服务业务'Hyundai CuriTel'，剥离网络业务'Hyundai Networks'，公司更名为"Hynix半导体有限公司"。2004年11月与意法半导体公司(STMicroelectronics)签订关于在中国合资建厂的协议。

SK海力士将通过全球科技领域的领导地位为客户、合作伙伴、投资者、社区、成员等利益相关者创造更大价值。SK海力士将致力于与全球合作伙伴推进突破现有格局的超级合作，成为引领全球ICT生态的解决方案提供商。SK海力士将摆脱只聚焦经济利益的传统经营模式，加强“ESG经营”积极探索社会价值和健全的企业治理结构，以创造更大价值。SK海力士将致力于成为全球科技的领先企业，为人类与社会的发展做出贡献。SKMS是SK集团独有的经营管理体系，由SK的经营哲学和在现实经营中体现这一哲学的方法论组成。该体系于1979年制定，此后不断发展，作为SK企业文化的基础，提出了经营的基本方向，成为经营活动、工作执行和正确决策的标准。以DRAM和NAND两翼齐飞，追求持续业务增长。SK海力士将以DRAM和NAND这样坚实的Core Biz.为基础，在第四次工业革命中全力发掘应对未来融合时代的新增长动力。SK海力士通过不断研发获得了业内最高水平的精细微工艺技术，并持续研发比现有产品耗电更少且容量和处理速度大幅提升的高容量·高性能·低耗电的高端产品。通过全球率先推出DDR5和扩大HBM等战略产品的市场支配力，SK海力士将进一步巩固引领业界发展的技术领导力。SK海力士在2018年推出全球首款拥有CTF和PUC架构的“96层512Gb TLC（Triple Level Cell）4D NAND闪存”，确保了技术竞争力。此后，又通过量产“全球首款128层4D NAND”和成功研发“176层4D NAND”等，持续保持闪存领域的技术优势。为在第四次工业革命时代更加稳定地运营庞大数据，SK海力士将持续提供最佳解决方案。

SK海力士以在存储半导体领域积累的技术竞争力为基础，成功进军CIS事业领域。SK海力士的CIS目前作为黑珍珠（Black Pearl）产品阵容的头牌产品，被广泛应用于智能手机的摄像头，还将通过持续技术开发，把产品用途扩大到生物、安全和自动驾驶汽车等多种领域。2020年12月开发业界最高层 176层 4D NAND，11月推出全球首款DDR5 DRAM，收购英特尔NAND闪存业务，9月成立AI专业公司'高斯实验室公(Gauss Labs Inc.)'，7月宣布开始量产超高速DRAM ‘HBM2E’，4月荣获2019 CDP选定的‘水管理’大奖。2021年12月收购英特尔NAND内存业务已完成第一阶段交易，10月开发出全球首款HBM3 DRAM，7月利用EUV对10纳米级第四代DRAM全面量产，5月公布2020年社会价值（SV）成果，3月宣布开始量产业界最高容量的LPDDR5移动端DRAM，2月宣布M16新厂竣工，1月宣布 社会价值2030 :社会价值长期远景。2022年9月决定投资M15X新工厂，8月完成对Key Foundry的收购，开发出全球最高层“238层NAND”内存，6月开始量产HBM3 DRAM，3月郭鲁正社长担任新的独立代表理事，加入SK集团10周年，2月开发新一代智能存储半导体PIM，1月SK旗下三子公司成立ICT联盟。2023年11月世界最快‘LPDDR5T’移动DRAM首次商业化，

8月开发出全球最高规格“HBM3E”，量产全球最大容量“LPDDR5X DRAM”，公开全球最高层“321层NAND”样品，6月全球最高层“238层4D NAND”进入量产，4月开发出全球首款12层堆叠HBM3，1月开发全球最快移动DRAM，LPDDR5T。

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